ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT52L256M32D1PF-107 WT:B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT52L256M32D1PF-107 WT:B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT52L256M32D1PF-107 WT:B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.2V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 178-FBGA (11.5x11) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 178-VFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 32 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 933 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT52L256 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 3 (168 Hours) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PF-107 WT:B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT52L256M32D1PF-107 WT:B | MT52L1G32D4PG-107 WT:B | MT52L256M32D1PF-093 WT:B | MT52L256M64D2GN-107 WT:B |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT52L256 | MT52L1G32 | MT52L256 | MT52L256 |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | - | - | - | - |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.2V | 1.2V | 1.2V | 1.2V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 178-VFBGA | 178-VFBGA | 178-VFBGA | 256-WFBGA |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| ชุด | - | - | - | - |
| องค์กรหน่วยความจำ | 256M x 32 | 1G x 32 | 256M x 32 | 256M x 64 |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | 32Gbit | 8Gbit | 16Gbit |
| ความถี่นาฬิกา | 933 MHz | 933 MHz | 1067 MHz | 933 MHz |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 178-FBGA (11.5x11) | 178-FBGA (12x11.5) | 178-FBGA (11.5x11) | 256-FBGA (14x14) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) | -30°C ~ 85°C (TC) |
| เทคโนโลยี | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT52L256M32D1PF-107 WT:B PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT52L256M32D1PF-107 WT:B - Micron Technology Inc.
MT52L1G32D4PG-107WT:BMicron TechnologyMT52L256M64D2LZ-107 WTBMicron TechnologyMT52L1G64D8QC-093 WT:BMicron TechnologyMT52L256M64D2GN-107WT:BMicron TechnologyMT52L256M32DAPF-107WT:BMicron TechnologyMT52L256M64D2LZ-107Micron TechnologyMT52L256M32D1PF-093WT:BMicron TechnologyMT52L256M32D1PF-093WT:BTRMicron TechnologyMT52L256M32D1PF-107WT:BMicron TechnologyMT52L1G32D4PG-107Micron Technology
MT52L256M32D1PF-107 WTBMICROMMT52L256M32D1PF-107Micron TechnologyMT52L1G32D4PG-107 WTBMicron TechnologyMT52L1G32D4PG-107 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 933MHZ 178FBGAMT52L256M64D2GN-107 WTBMicron TechnologyMT52L256M32D1PF-107WTBMT52L256M32D1PF-093 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT 1067MHZ 178FBGAMT52L256M64D2GN-107 WT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 16GBIT 933MHZ 256FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที